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元件参数资料
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参数目录41902
> STP15N65M5 MOSFET N CH 650V 11A TO220
型号:
STP15N65M5
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N CH 650V 11A TO220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STP15N65M5 PDF
标准包装
50
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
340 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
810pF @ 100V
功率 - 最大
85W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件
其它名称
497-12936-5
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